Tuotteen yleiskatsaus

Heksafluorietaani (C2F6) on täysin fluorattu, tyydyttynyt fluorihiilivetyyhdiste, joka näyttää normaaliolosuhteissa värittömänä, hajuttomana, -syttymättömänä ja myrkyttömänä kaasuna. Kriittisenä elektroniikan erikoiskaasuna heksafluorietaania arvostetaan sen poikkeuksellisen kemiallisen stabiilisuuden ja erinomaisen etsausselektiivisyyden vuoksi, mikä tekee siitä välttämättömän puolijohteiden ja mikroelektroniikan valmistuksessa. Tiukoilla puhdistusprosesseilla valmistettu erittäin-puhtaus heksafluorietaanimme täyttää edistyneiden elektronisten sovellusten tiukat vaatimukset, joissa erittäin -korkea puhtaus ja minimaaliset epäpuhtaudet ovat ensiarvoisen tärkeitä.

Perustiedot

CAS-nro	76-16-4
YK-nro	UN2193 (heksafluorietaani, puristettu)
Molekyylikaava	C₂F₆
Vaaraluokitus	2.2 (ei--syttyvä, ei--myrkyllinen kaasu)

Tärkeimmät attribuutit ja parametrit

Puhtaus	Suurempi tai yhtä suuri kuin 99,999 % (5N-luokan standardi), korkeampia laatuja saatavilla.
Kriittiset epäpuhtaudet (tyypilliset tiedot)	Happi (O2) Typpi (N2): Vähemmän tai yhtä suuri kuin 2 ppm Kosteus (H₂O): Vähemmän tai yhtä suuri kuin 1 ppm Metalli-ionien kokonaismäärä: vähemmän tai yhtä suuri kuin 10 ppb
Kiehumispiste	-78,2 astetta
Kriittinen lämpötila	19,7 astetta
Höyrynpaine (21,1 astetta)	3,33 MPa abs
Tiheys (kaasu, 25 astetta)	~7,85 kg/m³ (noin . 5x ilmaa tiheämpi)

Ominaisuudet ja edut

Korkea kemiallinen ja plasmastabiilisuus

Vahvat C-F-sidokset mahdollistavat vakaan, kontrolloidun hajoamisen plasmaympäristöissä ja muodostavat aktiivisia fluoriradikaaleja tarkkaa syövytystä varten.

Ylivoimainen etsausselektiivisyys

Tarjoaa erittäin säädettävät etsausnopeussuhteet piin, piidioksidin, piinitridin ja fotoresistin välillä, mikä mahdollistaa edistyneille solmuille kehittyneen kuvion siirron.

Erinomaiset dielektriset ja eristävät ominaisuudet

Sen korkea dielektrinen lujuus ja lämpöstabiilisuus tekevät siitä sopivan erikoissovelluksiin sähköeristyssovelluksissa.

Prosessin yhteensopivuus ja laaja ikkuna

Todistettu yhteensopivuus tavallisten puolijohteiden valmistustyökalujen (esim. ICP, CCP-etchers) kanssa, mikä tarjoaa laajan ja vakaan prosessiikkunan valmistajille.

Toiminnalliset ominaisuudet

Plasma{0}}pohjaisissa prosesseissa heksafluorietaani hajoaa muodostaen fluoriradikaaleja (F*) ja erilaisia CFx-ioneja. Tämän ansiosta se voi toimia ensisijaisesti seuraavasti:

1. Tarkkuusetsausaine: Mahdollistaa piin, polypiin ja erilaisten dielektristen kalvojen anisotrooppisen syövytyksen korkealla selektiivisyydellä ja profiilin säädöllä.

2. Kammion puhdistusaine: Poistaa tehokkaasti pii{1}}pohjaiset jäämät kemiallisesta höyrypinnoituksesta (CVD) ja etsauskammion sisäosista vahingoittamatta kammion osia.

3. Kantaja/laimennuskaasu: Voidaan käyttää plasmakemian modulointiin ja stabilointiin kaasuseoksissa.

Ensisijaiset sovelluskentät

Puolijohteiden valmistus

Keskeinen etsausaine polypiistä porttikuviointiin, matalan kaivannon eristykseen (STI) ja dielektriseen (SiO₂, matala{0}}k) kautta/kaivannon etsaukseen. Välttämätön kammion puhdistuksessa in-situ.

Litteän näytön (FPD) valmistus

Käytetään ohuiden{0}}kalvotransistoriryhmien (TFT) kuvioinnissa ja OLED-näyttöjen mikro{1}}valmistuksessa.

Aurinkosähkö

Tekstuurit ja kuviointi pii{0}}pohjaisessa ja ohut{1}}kalvo aurinkokennojen valmistuksessa.

Muut sovellukset

Käytetään kylmäaineena (R116), eristävänä kaasuna sähkölaitteissa ja puskurikaasuna lasereissa.

Asiakasyhteistyötapaus

Johtava puolijohdevalimo teki yhteistyötä kanssamme optimoidakseen 28 nm:n logiikkasirun kosketusreiän etsausprosessin, joka kohtasi haasteita sivuseinän karheuden ja syövytyksen tasaisuuden suhteen. Kehitimme räätälöidyn heksafluorietaani-pohjaisen kaasuseoksen (O₂:lla ja Ar:lla), joka on räätälöity heidän etsaustyökalulleen (Applied Materials Centura). Toimitimme 99,9995 % ultra-korkean-puhtauden heksafluoretaania, jossa oli metalliepäpuhtauksia<5 ppb and implemented a real-time gas monitoring system. This collaboration resulted in a 40% reduction in sidewall roughness (from 5.2nm to 3.1nm), improved within-wafer uniformity from ±8% to ±4%, and enhanced critical dimension control by 25%. The successful gas formulation was adopted as their standard process, contributing to a 3.2% increase in production yield and establishing a joint development framework for sub-10nm node etch solutions. This case highlights how our high-purity hexafluoroethane and application expertise directly enable advanced manufacturing.

FAQ

K: Mitkä ovat MITI-rekisteröinnin ja JIS-standardien erityisvaatimukset kemiallisten tuotteiden viennille Japaniin?

V: Japaniin vietävien kemiallisten tuotteiden osalta heidän on suoritettava MITI:n (talous-, kauppa- ja teollisuusministeriö) tuontirekisteröintiprosessi, lähetettävä tuoteoppaat, käyttöturvallisuustiedote, tuontisopimukset jne. Rekisteröintiprosessi kestää noin 5-7 työpäivää. Samalla niiden on täytettävä JIS japanilaiset teollisuusstandardit, kuten nestemäisten kemiallisten tuotteiden puhtaus ja epäpuhtauspitoisuus sekä kiinteiden kemiallisten tuotteiden hiukkaskokojakauma jne. Yrityksemme voi tarjota japaninkielisiä käyttöturvallisuustiedotteita ja testiraportteja MITI-rekisteröinnin avuksi ja varmistaa, että tuoteindikaattorit täyttävät JIS-standardit, jolloin tuotteet läpäisevät sujuvasti japanilaisen tullin suorittaman tarkastuksen.

Suositut Tagit: heksafluorietaani, Kiina heksafluorietaanin valmistajat, toimittajat, tehdas